PTS645SJL73 LFS

PTS645SJL73 LFS datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

PTS645SJL73 LFS
Производитель

ITT Industries
Описание

ITT Industries PTS645SJL73 LFS Lead-Free Status: Lead Free Alternative: ITT CANNON PTS645SJL73 LFS,CANNON PTS645SJL73 LFS,IIT PTS645SJL73 LFS,ITT CANON PTS645SJL73 LFS,ITTC PTS645SJL73 LFS,UMI PTS645SJL73 LFS,ITT INDUSTRIES PTS645SJL73 LFS,ITT SEALECTRO PTS645SJL73 LFS,ITTCAN PTS645SJL73 LFS,ITT SEMICONDUCTOR PTS645SJL73 LFS,PEI-GENESIS PTS645SJL73 LFS,ITT Semiconductors PTS645SJL73 LFS,CANN PTS645SJL73 LFS,ITT CORPORATION PTS645SJL73 LFS,ITT CANNO PTS645SJL73 LFS,ITT Interconnect Solutions PTS645SJL73 LFS,C&K / ITT / Cannon PTS645SJL73 LFS,ITT Industries Cannon PTS645SJL73 LFS,CANNO PTS645SJL73 LFS,ITT CORP PTS645SJL73 LFS,ITTIND PTS645SJL73 LFS,Cannon ITT Industries PTS645SJL73 LFS,ITT Cannon-or ITT In PTS645SJL73 LFS,ITT Components PTS645SJL73 LFS,Deutsch ECD PTS645SJL73 LFS
Количество страниц

3 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

100,11 KB

PTS645SJL73 LFS datasheet скачать

PTS645SJL73 LFS datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>Компания Shin-Etsu Chemical Co. Ltd начала поставки образцов своей новой подложки QST диаметром 300 мм (12 дюймов), специально разработанной для выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия (GaN). Это достижение следует за предыдущими предложениями компании: подложками QST диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также эпитаксиальными подложками GaN на QST. В ответ на растущий спрос Shin-Etsu успешно увеличила диаметр подложки до 300 мм, что обещает снизить затраты и улучшить производство устройств на базе GaN.</p>

Shin-Etsu Chemical разработала подложку диаметром 300 мм для выращивания GaN

04.10.2024

<p>Zhejiang Geely Holding Group внедрила SiC MOSFET-чипы 4-го поколения от компании ROHM Co. Ltd в тяговые инверторы трёх моделей бренда электромобилей ZEEKR. Эти силовые модули на базе карбида кремния (SiC), которые являются ключевыми для улучшения производительности электромобилей, с 2023 года находятся в серийном производстве. Производятся они компанией Haimosic (Shanghai) Co. Ltd — совместным предприятием ROHM и Zhenghai Group Co. Ltd — и поставляются Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co. Ltd, основному поставщику электромобилей Geely.</p>

Geely интегрирует SiC MOSFET-чипы 4-го поколения ROHM в электромобили ZEEKR

03.10.2024

<p>По мере того как вычисления, связанные с ИИ, продолжают развиваться как в облачных, так и в периферийных средах, спрос на более быстрые и ёмкие решения для хранения данных значительно вырастет в ближайшие два десятилетия. Технология NAND FLASH, являющаяся основой экономичных и высокоплотных систем хранения данных, уже революционизировала множество отраслей, начиная от USB-накопителей и заканчивая крупномасштабными серверами. Промышленность перешла от 2D NAND к 3D NAND, которая стала доминирующей технологией памяти с момента её коммерческого дебюта в 2013-2014 годах.</p>

Новые технологии оборудования станут ключевыми для масштабирования до 1000-слойной 3D NAND в эпоху ИИ

02.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.

Экспресс доставка электронных компонентов

Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.